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真空熔煉爐 雙管區(qū)熔提純爐

真空熔煉爐 雙管區(qū)熔提純爐

所屬分類:區(qū)域熔煉爐

產(chǎn)品型號(hào):KQZ-20-11

更新時(shí)間:2024-09-13

描述:真空熔煉爐 雙管區(qū)熔提純爐 設(shè)備用途:

提純金屬、半導(dǎo)體、有機(jī)和無(wú)機(jī)的化學(xué)材料;

區(qū)熔致勻(使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個(gè)單晶體中)

焊接和測(cè)量液體中的擴(kuò)散率等。

詳細(xì)信息






·真空熔煉爐 雙管區(qū)熔提純爐  設(shè)備用途:

  1. 提純金屬、半導(dǎo)體、有機(jī)和無(wú)機(jī)的化學(xué)材料;

  2. 區(qū)熔致勻(使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個(gè)單晶體中)

  3. 焊接和測(cè)量液體中的擴(kuò)散率等。


二·真空熔煉爐 雙管區(qū)熔提純爐  優(yōu)點(diǎn):


 1·區(qū)熔加熱爐采用往復(fù)區(qū)熔的方式,閉環(huán)溫度控制,可靠的控制熔區(qū)的寬度問(wèn)題;生長(zhǎng)室的設(shè)計(jì)成功解     決生長(zhǎng)室的污染問(wèn)題,
 2·將加熱及保溫材料均設(shè)置在生長(zhǎng)腔室外部,采用高純石英作為腔室,同時(shí)抽真空;將流動(dòng)高純氫氣通     入腔室,去除腔室中的微量氧,解決氧化的問(wèn)題;
 3·開(kāi)發(fā)高柔性的控制軟件,采用觸摸屏進(jìn)行操作,任意設(shè)置區(qū)熔的溫度,區(qū)熔的速度及次數(shù)。


·主要技術(shù)參數(shù)

  1. 最高加熱溫度:     1200℃ 使用溫度:500-1100℃

  2. 設(shè)備功率:          ≤35Kw±10%  三相380v 50Hz(三相五線制)

  3. 感應(yīng)電源功率:     20Kw±10%  三相380v 50Hz(三相五線制)頻率≥400kHz。

  4. 紅外加熱功率:      2kw*2(暫定)

  5. 冷態(tài)極限真空度:   ≤5×10-4Pa

  6. 石墨舟尺寸:     Ф70*200mm(外徑*長(zhǎng)度,半圓柱)

  7. 石英管(腔室)尺寸: ¢90*1500(根據(jù)實(shí)際情況做調(diào)整)

  8. 加熱方式:        高頻感應(yīng)加熱

9·區(qū)熔行程及速度:  位移行程 ≦1200mm
                   慢速:0.1-10mm/h(伺服控制)精度0.01mm
               快速:200mm/min(伺服控制)(空走或者后退)
10.爐內(nèi)充氣壓力:    ≤0.03MPa(氬氣)
11·充氣系統(tǒng):      自動(dòng)充放氣
12.區(qū)熔溫區(qū):       2溫區(qū)
13.石英管法蘭連接方式:真空水冷密封法蘭形式,留KF25真空接口,法蘭材質(zhì)304不銹鋼
14.控制方式:觸摸屏+plc






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